Справочник MOSFET. VBZM12P10

 

VBZM12P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZM12P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.167(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBZM12P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM12P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:841K  cn vbsemi
vbzm12p10.pdfpdf_icon

VBZM12P10

VBZM12P10www.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS -100VDefinitionRDS(on) VGS = 10 V 167 m TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V 178 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID -18AConfiguration SingleAPPLICATIONS Power Switch Load Switch

 8.1. Size:1289K  cn vbsemi
vbzm120n15.pdfpdf_icon

VBZM12P10

VBZM120N15www.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 150 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedID (A) 20Configuration SinglePackage TO-220TO-220ABDGSSN-Channel MOSFETDGTop ViewSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise n

 9.1. Size:984K  cn vbsemi
vbzm100n04.pdfpdf_icon

VBZM12P10

VBZM100N04www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS TrenchFET Power MOSFET40 VRDS(on) VGS = 10 V 2 100 % Rg and UIS TestedmRoHSID 180ACOMPLIANT APPLICATIONSConfiguration Single Synchronous Rectification Power SuppliesTO-220ABDGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless ot

 9.2. Size:781K  cn vbsemi
vbzm100n03.pdfpdf_icon

VBZM12P10

VBZM100N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.001 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.002 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 260 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 20

Другие MOSFET... VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 , VBZM100N03 , VBZM100N04 , VBZM120N15 , AON7410 , VBZM13N50 , VBZM150N03 , VBZM150N10 , VBZM18N20 , VBZM20N10 , VBZM20P06 , VBZM30N06 , VBZM3710 .

History: NCE40H11K | NCE60P12K | SML4080GN | SFF80N20NDB | SWD350R06VT | SML4065AN | AP6P090M

 

 
Back to Top

 


 
.