VBZM12P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZM12P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.167(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VBZM12P10 Datasheet (PDF)
vbzm12p10.pdf

VBZM12P10www.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS -100VDefinitionRDS(on) VGS = 10 V 167 m TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V 178 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID -18AConfiguration SingleAPPLICATIONS Power Switch Load Switch
vbzm120n15.pdf

VBZM120N15www.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 150 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedID (A) 20Configuration SinglePackage TO-220TO-220ABDGSSN-Channel MOSFETDGTop ViewSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise n
vbzm100n04.pdf

VBZM100N04www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS TrenchFET Power MOSFET40 VRDS(on) VGS = 10 V 2 100 % Rg and UIS TestedmRoHSID 180ACOMPLIANT APPLICATIONSConfiguration Single Synchronous Rectification Power SuppliesTO-220ABDGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless ot
vbzm100n03.pdf

VBZM100N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.001 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.002 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 260 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 20
Другие MOSFET... VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 , VBZM100N03 , VBZM100N04 , VBZM120N15 , AON7410 , VBZM13N50 , VBZM150N03 , VBZM150N10 , VBZM18N20 , VBZM20N10 , VBZM20P06 , VBZM30N06 , VBZM3710 .
History: SWP056R68E7T
History: SWP056R68E7T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent