STU303S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STU303S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STU303S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU303S даташит

 ..1. Size:184K  samhop
stu303s std303s.pdfpdf_icon

STU303S

S TU/D303S S amHop Microelectronics C orp. Nov, 2007 16, P-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY S uper high dense cell design for low R DS (ON). RDS(ON) (mW) Max V DS S ID R ugged and reliable. 28 @ V GS =-10V S urface Mount Package. -30V -24A 40 @ V GS = -4.5V ESD Procteced D D G S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-P AK) TO-251(l-P

 8.1. Size:125K  samhop
stu3030nls std3030nls.pdfpdf_icon

STU303S

Green Product S TU/D3030NLS S amHop Microelectronics C orp. Aug 08,2005 N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ES S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 18 @ VGS = 10V 30V 30A TO-252 and TO-251 Package. 25 @ VGS =4.5V D D D G G S S G STU SERIES STD SERIES T

 9.1. Size:195K  samhop
stu309dh.pdfpdf_icon

STU303S

Green Product S TU309DH S amHop Microelectronics C orp. Apr 20 2007 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 22 @ VG S = 10V 34 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 34 @ VG S = 4.5V 54 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1

 9.2. Size:174K  samhop
stu309d.pdfpdf_icon

STU303S

S TU309D S amHop Microelectronics C orp. Nov 22 2006 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 23 @ VG S = 10V 35 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 35 @ VG S = 4.5V 55 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 S 1 N-ch S

Другие IGBT... FDC604P, FDC606P, FDC608PZ, FDC610PZ, FDC6310P, FDC6312P, FDC6318P, FDC6320C, IRFP260N, FDC6321C, STU3030NLS, FDC6327C, STU17L01, FDC6333C, STU16L01, STU15N20, FDC637BNZ