Справочник MOSFET. VBZM50N03

 

VBZM50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZM50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBZM50N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  cn vbsemi
 vbzm50n03.pdf pdf_icon

VBZM50N03

VBZM50N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V0.007 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V0.010ID (A) 70Configuration SingleTO-220ABPackageTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 6.1. Size:834K  cn vbsemi
 vbzm50n06.pdf pdf_icon

VBZM50N03

VBZM50N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

Другие MOSFET... VBZM20N10 , VBZM20P06 , VBZM30N06 , VBZM3710 , VBZM40N03 , VBZM40N10 , VBZM40P06 , VBZM4N20 , IRFP250 , VBZM50N06 , VBZM60N06 , VBZM60P03 , VBZM630 , VBZM630Y , VBZM75N03 , VBZM75N80 , VBZM75NF75 .

History: BSH105 | DAMH160N200 | HM3018KR | BL9N90-A | 2SK1793-Z | QM6008G | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.