Справочник MOSFET. VBZM50N03

 

VBZM50N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZM50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VBZM50N03

 

 

VBZM50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  cn vbsemi
 vbzm50n03.pdf

VBZM50N03 VBZM50N03

VBZM50N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V0.007 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V0.010ID (A) 70Configuration SingleTO-220ABPackageTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 6.1. Size:834K  cn vbsemi
 vbzm50n06.pdf

VBZM50N03 VBZM50N03

VBZM50N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top