Справочник MOSFET. VBZM630Y

 

VBZM630Y MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZM630Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
   trⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VBZM630Y

 

 

VBZM630Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  cn vbsemi
 vbzm630y.pdf

VBZM630Y VBZM630Y

VBZM630Ywww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.058at VGS =10V35200 COMPLIANT New Low Thermal Resistance Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDGG D SSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

 7.1. Size:825K  cn vbsemi
 vbzm630.pdf

VBZM630Y VBZM630Y

VBZM630www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS =10V10200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.1. Size:936K  cn vbsemi
 vbzm60p03.pdf

VBZM630Y VBZM630Y

VBZM60P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS -30V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 8m 100 % Rg TestedRoHSRDS(on) VGS = 4.5 V 11mCOMPLIANT 100 % UIS TestedID -70AAPPLICATIONSConfiguration Single Load Switch Notebook Adaptor SwitchTO-220AB S G G D SD Top ViewP-C

 9.2. Size:846K  cn vbsemi
 vbzm60n06.pdf

VBZM630Y VBZM630Y

VBZM60N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS 60V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 5 m Material categorization:ID 120AConfiguration SingleTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-So

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top