VBZM630Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZM630Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBZM630Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM630Y даташит

 ..1. Size:931K  cn vbsemi
 vbzm630y.pdf pdf_icon

VBZM630Y

VBZM630Y www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.058at VGS =10V 35 200 COMPLIANT New Low Thermal Resistance Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Industrial D G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RA

 7.1. Size:825K  cn vbsemi
 vbzm630.pdf pdf_icon

VBZM630Y

VBZM630 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.270 at VGS =10V 10 200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.1. Size:936K  cn vbsemi
 vbzm60p03.pdf pdf_icon

VBZM630Y

VBZM60P03 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS -30 V TrenchFET Power MOSFET RDS(on) VGS = 10 V 8 m 100 % Rg Tested RoHS RDS(on) VGS = 4.5 V 11 m COMPLIANT 100 % UIS Tested ID -70 A APPLICATIONS Configuration Single Load Switch Notebook Adaptor Switch TO-220AB S G G D S D Top View P-C

 9.2. Size:846K  cn vbsemi
 vbzm60n06.pdf pdf_icon

VBZM630Y

VBZM60N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS 60 V TrenchFET Power MOSFET RDS(on) VGS = 10 V 5 m Material categorization ID 120 A Configuration Single TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-So

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZM40N10, VBZM40P06, VBZM4N20, VBZM50N03, VBZM50N06, VBZM60N06, VBZM60P03, VBZM630, BS170, VBZM75N03, VBZM75N80, VBZM75NF75, VBZM80N03, VBZM80N04, VBZM80N06, VBZM80N10, VBZM80N80