VBZM80N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZM80N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBZM80N10
VBZM80N10 Datasheet (PDF)
vbzm80n10.pdf

VBZM80N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) TrenchFET Power MOSFET100 175 C Maximum Junction TemperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECRDS(on) () at VGS = 4.5 V0.020ID (A)100Configuration SingleTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D S ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
vbzm80n04.pdf

VBZM80N04www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 40 V 100 % Rg and UIS Tested6RDS(on) VGS = 10 V mRoHSID 110AAPPLICATIONS COMPLIANT Configuration Single Synchronous Rectification Power SuppliesTO-220ABDGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless
vbzm80n03.pdf

VBZM80N03www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) a 180 100 % Rg and UIS TestedConfiguration SingleDTO-220GTop ViewSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless other
vbzm80n80.pdf

VBZM80N80www.VBsemi.comN-Channel 8 0-V (D-S) Super Trench Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Super Trench technology Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Excellent gate charge x Rds (on) product(FOM)0.0034 at VGS = 10 V 19580 75nC Very low on-resfistance Rds (on)0.0036 at VGS = 7.5 V 185 100 % Rg and UIS TestedTO-220ABAPPLICATIONSD
Другие MOSFET... VBZM630 , VBZM630Y , VBZM75N03 , VBZM75N80 , VBZM75NF75 , VBZM80N03 , VBZM80N04 , VBZM80N06 , SKD502T , VBZM80N80 , VBZM8N50 , VBZM8N60 , VBZMB10N65 , VBZMB12N65 , VBZMB13N50 , VBZMB18N50 , VBZMB18N65 .
History: SL8N100T | SNA3100L10NN | IPI60R385CP | NTMFS5C450NLT3G | BLM2302 | HRLD80N06K
History: SL8N100T | SNA3100L10NN | IPI60R385CP | NTMFS5C450NLT3G | BLM2302 | HRLD80N06K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor