Справочник MOSFET. VBZMB18N65

 

VBZMB18N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZMB18N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220FP

 Аналог (замена) для VBZMB18N65

 

 

VBZMB18N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 vbzmb18n65.pdf

VBZMB18N65 VBZMB18N65

VBZMB18N65www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.50 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgQg max. (nC) Low input capacitance (Ciss)71Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg)Qgd (nC) 33 Avalanche ener

 6.1. Size:1258K  cn vbsemi
 vbzmb18n50.pdf

VBZMB18N65 VBZMB18N65

VBZMB18N50www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET550V FEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.26- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 150- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 12- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 25- Avalanche Energy Rated (UIS)Configuration

 8.1. Size:617K  cn vbsemi
 vbzmb12n65.pdf

VBZMB18N65 VBZMB18N65

VBZMB12N65www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6843 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)22Qgd (nC)Configu

 8.2. Size:617K  cn vbsemi
 vbzmb10n65.pdf

VBZMB18N65 VBZMB18N65

VBZMB10N65 www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)57 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4.0 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 5.4Config

 8.3. Size:1077K  cn vbsemi
 vbzmb13n50.pdf

VBZMB18N65 VBZMB18N65

VBZMB13N50www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET500V FEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500AvailableReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtAvailableQg (Max.) (nC) 81RuggednessQgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguratio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD60N10S4L-12

 

 
Back to Top