VBZMB18N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZMB18N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 71 nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 205 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для VBZMB18N65
VBZMB18N65 Datasheet (PDF)
vbzmb18n65.pdf
VBZMB18N65www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.50 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgQg max. (nC) Low input capacitance (Ciss)71Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg)Qgd (nC) 33 Avalanche ener
vbzmb18n50.pdf
VBZMB18N50www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET550V FEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.26- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 150- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 12- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 25- Avalanche Energy Rated (UIS)Configuration
vbzmb12n65.pdf
VBZMB12N65www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6843 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)22Qgd (nC)Configu
vbzmb10n65.pdf
VBZMB10N65 www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)57 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4.0 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 5.4Config
vbzmb13n50.pdf
VBZMB13N50www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET500V FEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500AvailableReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtAvailableQg (Max.) (nC) 81RuggednessQgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguratio
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
