Справочник MOSFET. VBZQF50N03

 

VBZQF50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZQF50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 236(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для VBZQF50N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZQF50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1989K  cn vbsemi
 vbzqf50n03.pdf pdf_icon

VBZQF50N03

VBZQF50N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES30 VVDS Halogen-freeRDS(on),typ VGS=10V 13 m TrenchFET Power MOSFETRoHSRDS(on),typ VGS=4.5V 19 m 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT ID 50 AAPPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View Bottom View Top View 1827G 36

 7.1. Size:1952K  cn vbsemi
 vbzqf50p03.pdf pdf_icon

VBZQF50N03

VBZQF50P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESVVDS -30 TrenchFET power MOSFET 100 % Rg and UIS testedRDS(on),typ VGS=10V 9 mRDS(on),typ VGS=4.5V 17 mAPPLICATIONSAID -50 Notebook battery charging Notebook adapter switchDFN 3x3 EPS Bottom View Top View Top ViewG18 273645DPin 1P-Channel MOSFETABSOLUTE M

Другие MOSFET... VBZMB4N65 , VBZMB7N65 , VBZMB8N60 , VBZP50N50S , VBZQA120N03 , VBZQA50N03 , VBZQA50P03 , VBZQA80N03 , IRF1405 , VBZQF50P03 , WNM2016-3 , WNM2020-3 , WPM2015-3-TR , WPM2341A-3-TR , XP132A1275SR , XP161A11A1PR , XP161A1355PR .

History: PFF13N60 | APT47N65BC3 | MMF80R650PTH | WMO05N80M3 | STH12N120K5-2 | KHB1D0N60I | SMK1820F

 

 
Back to Top

 


 
.