XP132A1275SR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: XP132A1275SR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для XP132A1275SR
XP132A1275SR Datasheet (PDF)
xp132a1275sr.pdf
XP132A1275SRwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typi
Другие MOSFET... VBZQA50P03 , VBZQA80N03 , VBZQF50N03 , VBZQF50P03 , WNM2016-3 , WNM2020-3 , WPM2015-3-TR , WPM2341A-3-TR , EMB04N03H , XP161A11A1PR , XP161A1355PR , XP202A0003PR , ZXMC6A09DN8T , ZXMN4A06GT , ZXMP10A17GTA , ZXMP6A18DN8TA , NCE0102 .
History: IRF5Y3315CM | ZXMP10A17GTA | IRF5Y31N20 | IRFS33N15DPBF | FQP6N60
History: IRF5Y3315CM | ZXMP10A17GTA | IRF5Y31N20 | IRFS33N15DPBF | FQP6N60
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73


