Справочник MOSFET. XP132A1275SR

 

XP132A1275SR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: XP132A1275SR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для XP132A1275SR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XP132A1275SR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  cn vbsemi
 xp132a1275sr.pdf pdf_icon

XP132A1275SR

XP132A1275SRwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typi

Другие MOSFET... VBZQA50P03 , VBZQA80N03 , VBZQF50N03 , VBZQF50P03 , WNM2016-3 , WNM2020-3 , WPM2015-3-TR , WPM2341A-3-TR , 2SK3918 , XP161A11A1PR , XP161A1355PR , XP202A0003PR , ZXMC6A09DN8T , ZXMN4A06GT , ZXMP10A17GTA , ZXMP6A18DN8TA , NCE0102 .

History: MDP1991 | SKS10N20 | HSM4435 | IRLR3105PBF | DH012N03U | 2SK1498 | HD1H15A

 

 
Back to Top

 


 
.