ZXMC6A09DN8T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMC6A09DN8T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для ZXMC6A09DN8T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMC6A09DN8T даташит

 ..1. Size:911K  cn vbsemi
 zxmc6a09dn8t.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8T

ZXMC6A09DN8T www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at

 3.1. Size:297K  diodes
 zxmc6a09dn8.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8T

ZXMC6A09DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.045 ; ID= 5.1A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8A DESCRIPTION This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

Другие IGBT... WNM2016-3, WNM2020-3, WPM2015-3-TR, WPM2341A-3-TR, XP132A1275SR, XP161A11A1PR, XP161A1355PR, XP202A0003PR, AO4407A, ZXMN4A06GT, ZXMP10A17GTA, ZXMP6A18DN8TA, NCE0102, NCE0103M, NCE0103Y, NCE0106R, NCE0106Z