Справочник MOSFET. ZXMC6A09DN8T

 

ZXMC6A09DN8T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMC6A09DN8T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для ZXMC6A09DN8T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMC6A09DN8T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  cn vbsemi
 zxmc6a09dn8t.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8T

ZXMC6A09DN8Twww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at

 3.1. Size:297K  diodes
 zxmc6a09dn8.pdf pdf_icon

ZXMC6A09DN8T

ZXMC6A09DN8COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYN-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.045 ; ID= 5.1AP-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage,

Другие MOSFET... WNM2016-3 , WNM2020-3 , WPM2015-3-TR , WPM2341A-3-TR , XP132A1275SR , XP161A11A1PR , XP161A1355PR , XP202A0003PR , AO3407 , ZXMN4A06GT , ZXMP10A17GTA , ZXMP6A18DN8TA , NCE0102 , NCE0103M , NCE0103Y , NCE0106R , NCE0106Z .

History: ALD1106PBL | MTP15N05 | IRFS3307ZTRL

 

 
Back to Top

 


 
.