Справочник MOSFET. NCE0102

 

NCE0102 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0102
   Маркировка: 0102'
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для NCE0102

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  ncepower
 nce0102.pdf pdf_icon

NCE0102

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0102NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE0102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:621K  ncepower
 nce0102e.pdf pdf_icon

NCE0102

NCE0102Ehttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0102E uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I = 2ADS DR

 0.2. Size:287K  ncepower
 nce0102m.pdf pdf_icon

NCE0102

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0102MNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE0102M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 0.3. Size:303K  ncepower
 nce0102z.pdf pdf_icon

NCE0102

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0102ZNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE0102Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... XP132A1275SR , XP161A11A1PR , XP161A1355PR , XP202A0003PR , ZXMC6A09DN8T , ZXMN4A06GT , ZXMP10A17GTA , ZXMP6A18DN8TA , BS170 , NCE0103M , NCE0103Y , NCE0106R , NCE0106Z , NCE0110AK , NCE0110AS , NCE0110K , NCE0115K .

History: SVD1055SA | HUF75639S3ST

 

 
Back to Top

 


 
.