NCE0102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0102

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для NCE0102

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0102 даташит

 ..1. Size:294K  ncepower
 nce0102.pdf pdf_icon

NCE0102

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:621K  ncepower
 nce0102e.pdf pdf_icon

NCE0102

NCE0102E http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102E uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I = 2A DS D R

 0.2. Size:287K  ncepower
 nce0102m.pdf pdf_icon

NCE0102

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102M NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 0.3. Size:303K  ncepower
 nce0102z.pdf pdf_icon

NCE0102

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102Z NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... XP132A1275SR, XP161A11A1PR, XP161A1355PR, XP202A0003PR, ZXMC6A09DN8T, ZXMN4A06GT, ZXMP10A17GTA, ZXMP6A18DN8TA, IRF730, NCE0103M, NCE0103Y, NCE0106R, NCE0106Z, NCE0110AK, NCE0110AS, NCE0110K, NCE0115K