NCE0140K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0140K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCE0140K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0140K2 даташит

 ..1. Size:410K  ncepower
 nce0140k2.pdf pdf_icon

NCE0140K2

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0140K2 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0140K2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =40A RDS(ON)

 6.1. Size:402K  ncepower
 nce0140ka.pdf pdf_icon

NCE0140K2

 7.1. Size:318K  ncepower
 nce0140ia.pdf pdf_icon

NCE0140K2

 7.2. Size:752K  ncepower
 nce0140i2.pdf pdf_icon

NCE0140K2

http //www.ncepower.com NCE0140I2 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0140I2 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I =40A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE0110AS, NCE0110K, NCE0115K, NCE0117I, NCE0125AI, NCE0125AK, NCE0130A, NCE0130KA, IRFB4110, NCE0140KA, NCE0157, NCE0157A2, NCE0157D, NCE01H10, NCE01H10D, NCE01H11, NCE01H13