NCE0157. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0157

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для NCE0157

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0157 даташит

 ..1. Size:374K  ncepower
 nce0157.pdf pdf_icon

NCE0157

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0157 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 0.1. Size:701K  ncepower
 nce0157g.pdf pdf_icon

NCE0157

http //www.ncepower.com NCE0157G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent R with low gate charge. It can be V =100V,I =57A DS(ON) DS D used in a wide variety of applications. R

 0.2. Size:631K  ncepower
 nce0157a2d.pdf pdf_icon

NCE0157

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0157A2D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2D uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I =57A DS D R

 0.3. Size:655K  ncepower
 nce0157a.pdf pdf_icon

NCE0157

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0157A2 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I =57A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE0115K, NCE0117I, NCE0125AI, NCE0125AK, NCE0130A, NCE0130KA, NCE0140K2, NCE0140KA, IRFP260N, NCE0157A2, NCE0157D, NCE01H10, NCE01H10D, NCE01H11, NCE01H13, NCE01H21T, NCE01P03S