NCE0157 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NCE0157
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO220
NCE0157 Datasheet (PDF)
nce0157.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)
nce0157g.pdf

http://www.ncepower.comNCE0157GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157G uses advanced trench technology and designGeneral Featuresto provide excellent R with low gate charge. It can be V =100V,I =57ADS(ON) DS Dused in a wide variety of applications. R
nce0157a2d.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2D uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR
nce0157a.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FDME410NZT | AP60N03GJ | SIHF820AL | IRF9Z24NS | RF1S30N06LE | IRF7413GPBF | TPP70R950C
History: FDME410NZT | AP60N03GJ | SIHF820AL | IRF9Z24NS | RF1S30N06LE | IRF7413GPBF | TPP70R950C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg