Справочник MOSFET. NCE0157D

 

NCE0157D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0157D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NCE0157D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0157D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  ncepower
 nce0157d.pdf pdf_icon

NCE0157D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 7.1. Size:701K  ncepower
 nce0157g.pdf pdf_icon

NCE0157D

http://www.ncepower.comNCE0157GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157G uses advanced trench technology and designGeneral Featuresto provide excellent R with low gate charge. It can be V =100V,I =57ADS(ON) DS Dused in a wide variety of applications. R

 7.2. Size:374K  ncepower
 nce0157.pdf pdf_icon

NCE0157D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 7.3. Size:631K  ncepower
 nce0157a2d.pdf pdf_icon

NCE0157D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2D uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE0125AI , NCE0125AK , NCE0130A , NCE0130KA , NCE0140K2 , NCE0140KA , NCE0157 , NCE0157A2 , AON6414A , NCE01H10 , NCE01H10D , NCE01H11 , NCE01H13 , NCE01H21T , NCE01P03S , NCE01P13K , NCE01P18D .

History: S85N042RP | SPD03N50C3 | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950 | BSL207SP | LSB55R050GT

 

 
Back to Top

 


 
.