NCE01H10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE01H10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для NCE01H10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE01H10 даташит

 ..1. Size:377K  ncepower
 nce01h10.pdf pdf_icon

NCE01H10

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE01H10 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

 0.1. Size:320K  ncepower
 nce01h10d.pdf pdf_icon

NCE01H10

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE01H10D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

 7.1. Size:358K  ncepower
 nce01h13.pdf pdf_icon

NCE01H10

Pb Free Product NCE01H13 http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H13 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =130A RDS(ON)

 7.2. Size:458K  ncepower
 nce01h13d.pdf pdf_icon

NCE01H10

NCE01H13D http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H13D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =130A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE0125AK, NCE0130A, NCE0130KA, NCE0140K2, NCE0140KA, NCE0157, NCE0157A2, NCE0157D, IRF3710, NCE01H10D, NCE01H11, NCE01H13, NCE01H21T, NCE01P03S, NCE01P13K, NCE01P18D, NCE01P18K