NCE0202M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0202M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для NCE0202M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0202M даташит

 ..1. Size:283K  ncepower
 nce0202m.pdf pdf_icon

NCE0202M

http //www.ncepower.com NCE0202M NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0202M uses advanced trench technology and D design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G General Features VDS = 200V,ID =2A S RDS(ON)

 7.1. Size:287K  ncepower
 nce0202za.pdf pdf_icon

NCE0202M

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0202ZA NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE0202ZA uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDS = 200V,ID =2A RDS(ON)

 8.1. Size:305K  ncepower
 nce0205ia.pdf pdf_icon

NCE0202M

http //www.ncepower.com NCE0205IA NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0205IA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS = 200V,ID =5A RDS(ON)

 8.2. Size:322K  ncepower
 nce0208ia.pdf pdf_icon

NCE0202M

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0208IA NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0208IA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE01H11, NCE01H13, NCE01H21T, NCE01P03S, NCE01P13K, NCE01P18D, NCE01P18K, NCE01P30, IRF9540, NCE0202ZA, NCE0208KA, NCE0224, NCE0224D, NCE0224K, NCE0240, NCE0240F, NCE0260