Справочник MOSFET. FDC637BNZ

 

FDC637BNZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDC637BNZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SSOT6
 

 Аналог (замена) для FDC637BNZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC637BNZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  fairchild semi
 fdc637bnz.pdf pdf_icon

FDC637BNZ

September 2007FDC637BNZtmN-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 6.2A, 24mFeatures General Description Max rDS(on) = 24m at VGS = 4.5V, ID = 6.2A This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 32m at VGS = 2.5V, ID = 5.2Athat has been especially tailored to minimize the on-sta

 ..2. Size:415K  onsemi
 fdc637bnz.pdf pdf_icon

FDC637BNZ

September 2007FDC637BNZtmN-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 6.2A, 24mFeatures General Description Max rDS(on) = 24m at VGS = 4.5V, ID = 6.2A This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 32m at VGS = 2.5V, ID = 5.2Athat has been especially tailored to minimize the on-sta

 ..3. Size:861K  cn vbsemi
 fdc637bnz.pdf pdf_icon

FDC637BNZ

FDC637BNZwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/DC

 8.1. Size:66K  fairchild semi
 fdc637an.pdf pdf_icon

FDC637BNZ

November 1999FDC637ANSingle N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced 6.2 A, 20 V. RDS(on) = 0.024 @ VGS = 4.5 Vusing Fairchild Semiconductor's advancedPowerTrench process that has been especially tailored RDS(on) = 0.032 @ VGS = 2.5 Vto minimize on-state resistance and yet maintain lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STU303S , FDC6321C , STU3030NLS , FDC6327C , STU17L01 , FDC6333C , STU16L01 , STU15N20 , IRFB4115 , FDC638APZ , FDC6401N , FDC6420C , STU15L01 , FDC642P , FDC642PF085 , FDC655BN , STU1530PL .

History: STD12N05-1 | NTTFS4823N

 

 
Back to Top

 


 
.