Справочник MOSFET. NCE0224K

 

NCE0224K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0224K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE0224K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0224K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  ncepower
 nce0224k.pdf pdf_icon

NCE0224K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0224KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.1. Size:326K  ncepower
 nce0224f.pdf pdf_icon

NCE0224K

http://www.ncepower.com NCE0224FNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.2. Size:314K  ncepower
 nce0224af.pdf pdf_icon

NCE0224K

Pb Free ProductNCE0224AFhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224AF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.3. Size:319K  ncepower
 nce0224.pdf pdf_icon

NCE0224K

NCE0224http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE01P18D , NCE01P18K , NCE01P30 , NCE0202M , NCE0202ZA , NCE0208KA , NCE0224 , NCE0224D , IRF1010E , NCE0240 , NCE0240F , NCE0260 , NCE0275T , NCE1216 , NCE12P09S , NCE1502R , NCE1503S .

History: SSF2N60D1 | H5N2515P

 

 
Back to Top

 


 
.