NCE0224K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE0224K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE0224K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0224K даташит

 ..1. Size:396K  ncepower
nce0224k.pdfpdf_icon

NCE0224K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0224K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.1. Size:326K  ncepower
nce0224f.pdfpdf_icon

NCE0224K

http //www.ncepower.com NCE0224F NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.2. Size:314K  ncepower
nce0224af.pdfpdf_icon

NCE0224K

Pb Free Product NCE0224AF http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224AF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.3. Size:319K  ncepower
nce0224.pdfpdf_icon

NCE0224K

NCE0224 http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

Другие IGBT... NCE01P18D, NCE01P18K, NCE01P30, NCE0202M, NCE0202ZA, NCE0208KA, NCE0224, NCE0224D, IRF1010E, NCE0240, NCE0240F, NCE0260, NCE0275T, NCE1216, NCE12P09S, NCE1502R, NCE1503S