NCE1503S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE1503S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE1503S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1503S даташит

 ..1. Size:365K  ncepower
 nce1503s.pdf pdf_icon

NCE1503S

http //www.ncepower.com NCE1503S NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1503S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS = 150V,ID = 3A RDS(ON)

 8.1. Size:366K  ncepower
 nce1505s.pdf pdf_icon

NCE1503S

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1505S NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1505S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =5.2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:331K  ncepower
 nce1507ak.pdf pdf_icon

NCE1503S

http //www.ncepower.com NCE1507AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1507AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 150V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

 8.3. Size:301K  ncepower
 nce1502r.pdf pdf_icon

NCE1503S

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1502R NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE1502R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE0224K, NCE0240, NCE0240F, NCE0260, NCE0275T, NCE1216, NCE12P09S, NCE1502R, IRLB4132, NCE1540K, NCE1550, NCE1570, NCE2003, NCE2007N, NCE2010E, NCE2030, NCE2030K