Справочник MOSFET. NCE1503S

 

NCE1503S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE1503S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для NCE1503S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1503S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  ncepower
 nce1503s.pdf pdf_icon

NCE1503S

http://www.ncepower.com NCE1503SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1503S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS = 150V,ID = 3A RDS(ON)

 8.1. Size:366K  ncepower
 nce1505s.pdf pdf_icon

NCE1503S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1505SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1505S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =5.2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:331K  ncepower
 nce1507ak.pdf pdf_icon

NCE1503S

http://www.ncepower.com NCE1507AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1507AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 150V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

 8.3. Size:301K  ncepower
 nce1502r.pdf pdf_icon

NCE1503S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1502RNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE1502R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE0224K , NCE0240 , NCE0240F , NCE0260 , NCE0275T , NCE1216 , NCE12P09S , NCE1502R , IRF9540N , NCE1540K , NCE1550 , NCE1570 , NCE2003 , NCE2007N , NCE2010E , NCE2030 , NCE2030K .

History: FQB27N25TMF085 | IXFP22N65X2M | NTMFS6H864NL | SWD065R03VLT | STP130N6F7 | HYG035N10NS2B | WMM10N105C2

 

 
Back to Top

 


 
.