NCE3050 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NCE3050
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для NCE3050
NCE3050 Datasheet (PDF)
nce3050.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)
nce3050ka.pdf

Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)
nce3050i.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050INCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)
nce3050k.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)
Другие MOSFET... NCE2312A , NCE2333Y , NCE3008M , NCE3011E , NCE3018AS , NCE3020Q , NCE3025Q , NCE3035Q , 75N75 , NCE3050K , NCE3065K , NCE3080IA , NCE3080K , NCE3090K , NCE3095G , NCE3095K , NCE30D0808J .
History: RU5H8R | 4N65TF | IRF241
History: RU5H8R | 4N65TF | IRF241



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400