Справочник MOSFET. NCE3050K

 

NCE3050K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3050K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE3050K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3050K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  ncepower
nce3050k.pdfpdf_icon

NCE3050K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 0.1. Size:372K  ncepower
nce3050ka.pdfpdf_icon

NCE3050K

Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.1. Size:336K  ncepower
nce3050.pdfpdf_icon

NCE3050K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.2. Size:311K  ncepower
nce3050i.pdfpdf_icon

NCE3050K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050INCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE2333Y , NCE3008M , NCE3011E , NCE3018AS , NCE3020Q , NCE3025Q , NCE3035Q , NCE3050 , 2N60 , NCE3065K , NCE3080IA , NCE3080K , NCE3090K , NCE3095G , NCE3095K , NCE30D0808J , NCE30D2519K .

History: 1N80 | 3N128 | APT5027BVR | CS6N60A3HDY | SVS5N70MN | SVS5N70MU | 2SK1570

 

 
Back to Top

 


 
.