NCE3050K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE3050K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCE3050K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3050K даташит

 ..1. Size:399K  ncepower
nce3050k.pdfpdf_icon

NCE3050K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3050K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 0.1. Size:372K  ncepower
nce3050ka.pdfpdf_icon

NCE3050K

 7.1. Size:336K  ncepower
nce3050.pdfpdf_icon

NCE3050K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3050 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.2. Size:311K  ncepower
nce3050i.pdfpdf_icon

NCE3050K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3050I NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

Другие IGBT... NCE2333Y, NCE3008M, NCE3011E, NCE3018AS, NCE3020Q, NCE3025Q, NCE3035Q, NCE3050, 20N50, NCE3065K, NCE3080IA, NCE3080K, NCE3090K, NCE3095G, NCE3095K, NCE30D0808J, NCE30D2519K