NCE3080IA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE3080IA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для NCE3080IA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3080IA даташит

 ..1. Size:296K  ncepower
 nce3080ia.pdf pdf_icon

NCE3080IA

 6.1. Size:312K  ncepower
 nce3080i.pdf pdf_icon

NCE3080IA

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080I NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.1. Size:384K  ncepower
 nce3080k.pdf pdf_icon

NCE3080IA

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.2. Size:321K  ncepower
 nce3080l.pdf pdf_icon

NCE3080IA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3011E, NCE3018AS, NCE3020Q, NCE3025Q, NCE3035Q, NCE3050, NCE3050K, NCE3065K, IRF2807, NCE3080K, NCE3090K, NCE3095G, NCE3095K, NCE30D0808J, NCE30D2519K, NCE30H10AK, NCE30H10K