NCE30H10AK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30H10AK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 472.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCE30H10AK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H10AK даташит

 ..1. Size:523K  ncepower
 nce30h10ak.pdf pdf_icon

NCE30H10AK

http //www.ncepower.com NCE30H10AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

 6.1. Size:331K  ncepower
 nce30h10g.pdf pdf_icon

NCE30H10AK

http //www.ncepower.com NCE30H10G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be VDS =30V,ID =100A used in a wide variety of applications. RDS(ON)=1.9m (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.9m (typical) @ VGS=4.5V Application DC/

 6.2. Size:681K  ncepower
 nce30h10bk.pdf pdf_icon

NCE30H10AK

http //www.ncepower.com NCE30H10BK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10BK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =100A DS D R

 6.3. Size:373K  ncepower
 nce30h10.pdf pdf_icon

NCE30H10AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H10 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3065K, NCE3080IA, NCE3080K, NCE3090K, NCE3095G, NCE3095K, NCE30D0808J, NCE30D2519K, AO3400A, NCE30H10K, NCE30H11BK, NCE30H11K, NCE30H12, NCE30H14K, NCE30H15, NCE30H15K, NCE30H29D