Справочник MOSFET. NCE30ND09S

 

NCE30ND09S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE30ND09S
   Маркировка: 30ND09S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для NCE30ND09S

 

 

NCE30ND09S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  ncepower
 nce30nd09s.pdf

NCE30ND09S NCE30ND09S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30ND09SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND09S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =9A RDS(ON)

 6.1. Size:356K  ncepower
 nce30nd07s.pdf

NCE30ND09S NCE30ND09S

Pb Free ProductNCE30ND07Shttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 6.2. Size:368K  ncepower
 nce30nd07as.pdf

NCE30ND09S NCE30ND09S

NCE30ND07AShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 6.3. Size:292K  ncepower
 nce30nd07bs.pdf

NCE30ND09S NCE30ND09S

NCE30ND07BShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top