Справочник MOSFET. NCE30P15S

 

NCE30P15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE30P15S
   Маркировка: 30P15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30P15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  ncepower
 nce30p15s.pdf pdf_icon

NCE30P15S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30P15SNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P15S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -15A RDS(ON)

 6.1. Size:342K  ncepower
 nce30p15as.pdf pdf_icon

NCE30P15S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30P15ASNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P15AS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS = -30V,ID = -15A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:710K  ncepower
 nce30p12bs.pdf pdf_icon

NCE30P15S

http://www.ncepower.comNCE30P12BSNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30P12BS uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge and operation withDS(ON)gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use asa load switch or in PWM applications.General Features V = -30V,I = -12A Schematic diagramDS DR

 7.2. Size:364K  ncepower
 nce30p12s.pdf pdf_icon

NCE30P15S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30P12SNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P12S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BSR316P | SDD04N65

 

 
Back to Top

 


 
.