NCE3407AY - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE3407AY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE3407AY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3407AY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  ncepower
 nce3407ay.pdf pdf_icon

NCE3407AY

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407AYNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE3407AY uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.3A RDS(ON)

 6.1. Size:602K  ncepower
 nce3407a.pdf pdf_icon

NCE3407AY

http://www.ncepower.comNCE3407ANCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionDThe NCE3407A uses advanced trench technology to provideexcellent R , This device is suitable for use as a loadDS(ON)Gswitch or in PWM applications.General FeaturesS V = -30V,I = -4.3ADS DSchematic diagramR

 7.1. Size:281K  ncepower
 nce3407.pdf pdf_icon

NCE3407AY

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load Gswitch or in PWM applications. SGeneral Features VDS = -30V,ID = -4.1A Schematic diagram RDS(ON)

 7.2. Size:729K  ncepower
 nce3407e.pdf pdf_icon

NCE3407AY

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE3407ENCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE3407E uses advanced trench technology to provideexcellent R . This device is suitable for use as a loadDS(ON)switch or in PWM applications.It is ESD protected.General Features V = -30V,I = -4.3A Schematic diagramDS DR = 28m @ V =-10V (typ)DS(ON) GSR = 38m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE30P50G , NCE3400 , NCE3400AY , NCE3400X , NCE3401 , NCE3404Y , NCE3406N , NCE3407 , 50N06 , NCE3415 , NCE3416 , NCE3420 , NCE4009S , NCE4012S , NCE4060I , NCE4060K , NCE4080 .

 

 
Back to Top

 


 
.