NCE3407AY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE3407AY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для NCE3407AY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3407AY даташит

 ..1. Size:261K  ncepower
 nce3407ay.pdf pdf_icon

NCE3407AY

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3407AY NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE3407AY uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.3A RDS(ON)

 6.1. Size:602K  ncepower
 nce3407a.pdf pdf_icon

NCE3407AY

http //www.ncepower.com NCE3407A NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE3407A uses advanced trench technology to provide excellent R , This device is suitable for use as a load DS(ON) G switch or in PWM applications. General Features S V = -30V,I = -4.3A DS D Schematic diagram R

 7.1. Size:281K  ncepower
 nce3407.pdf pdf_icon

NCE3407AY

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3407 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load G switch or in PWM applications. S General Features VDS = -30V,ID = -4.1A Schematic diagram RDS(ON)

 7.2. Size:729K  ncepower
 nce3407e.pdf pdf_icon

NCE3407AY

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3407E NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3407E uses advanced trench technology to provide excellent R . This device is suitable for use as a load DS(ON) switch or in PWM applications.It is ESD protected. General Features V = -30V,I = -4.3A Schematic diagram DS D R = 28m @ V =-10V (typ) DS(ON) GS R = 38m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE30P50G, NCE3400, NCE3400AY, NCE3400X, NCE3401, NCE3404Y, NCE3406N, NCE3407, 50N06, NCE3415, NCE3416, NCE3420, NCE4009S, NCE4012S, NCE4060I, NCE4060K, NCE4080