Справочник MOSFET. NCE40H21

 

NCE40H21 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE40H21
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 239 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NCE40H21

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE40H21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  ncepower
 nce40h21.pdf pdf_icon

NCE40H21

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE40H21NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H21 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V ,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:339K  ncepower
 nce40h25ll.pdf pdf_icon

NCE40H21

http://www.ncepower.com NCE40H25LLNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description VDS =40V ,ID =250A The NCE40H25LL uses advanced trench technology and RDS(ON)

 7.2. Size:398K  ncepower
 nce40h29d.pdf pdf_icon

NCE40H21

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE40H29DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H29D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V ,ID =290A RDS(ON)

 7.3. Size:336K  ncepower
 nce40h20a.pdf pdf_icon

NCE40H21

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE40H20ANCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H20A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 40V,ID =200A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE4060K , NCE4080 , NCE4080D , NCE4080K , NCE40H12 , NCE40H12I , NCE40H12K , NCE40H20A , IRF9540 , NCE40H29D , NCE40ND0812S , NCE40P05S , NCE40P07S , NCE40P13S , NCE40P15K , NCE40P40K , NCE40P40L .

 

 
Back to Top

 


 
.