NCE6005AR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE6005AR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для NCE6005AR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6005AR даташит

 ..1. Size:315K  ncepower
 nce6005ar.pdf pdf_icon

NCE6005AR

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6005AR NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=60V,ID=5A RDS(ON)

 6.1. Size:417K  ncepower
 nce6005as.pdf pdf_icon

NCE6005AR

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6005AS NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS=60V,ID=5A RDS(ON)

 6.2. Size:707K  ncepower
 nce6005an.pdf pdf_icon

NCE6005AR

NCE6005AN http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AN uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =5A DS D R

 6.3. Size:915K  cn vbsemi
 nce6005as.pdf pdf_icon

NCE6005AR

NCE6005AS www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE55H12, NCE55P15I, NCE55P15K, NCE55P30, NCE55P30K, NCE6003, NCE6003M, NCE6003Y, 12N60, NCE6008AS, NCE6009AS, NCE6012AS, NCE6020AI, NCE6020AK, NCE6045G, NCE6050A, NCE6050IA