NCE6020AI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE6020AI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для NCE6020AI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6020AI даташит

 ..1. Size:335K  ncepower
 nce6020ai.pdf pdf_icon

NCE6020AI

 6.1. Size:432K  ncepower
 nce6020ak.pdf pdf_icon

NCE6020AI

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6020AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

 6.2. Size:673K  ncepower
 nce6020al.pdf pdf_icon

NCE6020AI

 6.3. Size:688K  ncepower
 nce6020a.pdf pdf_icon

NCE6020AI

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6020A NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020A uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =20A Schematic diagram DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE55P30K, NCE6003, NCE6003M, NCE6003Y, NCE6005AR, NCE6008AS, NCE6009AS, NCE6012AS, AON6380, NCE6020AK, NCE6045G, NCE6050A, NCE6050IA, NCE6050KA, NCE6075, NCE6075K, NCE6080A