Справочник MOSFET. NCE6020AK

 

NCE6020AK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE6020AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6020AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  ncepower
 nce6020ak.pdf pdf_icon

NCE6020AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6020AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

 6.1. Size:335K  ncepower
 nce6020ai.pdf pdf_icon

NCE6020AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6020AINCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AI uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A Schematic diagram RDS(ON)

 6.2. Size:673K  ncepower
 nce6020al.pdf pdf_icon

NCE6020AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE6020ALNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE6020AL uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =20A Schematic diagramDS DR

 6.3. Size:688K  ncepower
 nce6020a.pdf pdf_icon

NCE6020AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE6020ANCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE6020A uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =20A Schematic diagramDS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXTQ130N20T | SIHF6N65E | IPP60R120C7 | BSZ009NE2LS5 | HAT2153R | 2N6904 | IRFY240CM

 

 
Back to Top

 


 
.