Справочник MOSFET. NCE6045G

 

NCE6045G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE6045G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для NCE6045G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6045G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  ncepower
nce6045g.pdfpdf_icon

NCE6045G

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6045GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6045G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =45A RDS(ON)

 7.1. Size:653K  ncepower
nce6045xg.pdfpdf_icon

NCE6045G

http://www.ncepower.comNCE6045XGNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE6045XG uses advanced trench technology andGeneral Featuresdesign to provide excellent R with low gate charge. It can V =60V,I =45ADS(ON) DS Dbe used in a wide variety of applications. R =7.4m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =11.4m (typical) @ V =4.5VApplication DS(ON) GS

 7.2. Size:685K  ncepower
nce6045xag.pdfpdf_icon

NCE6045G

NCE6045XAGhttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral FeaturesDescription V = 60V,I =45ADS DThe NCE6045XAG uses advanced trench technology andR

 8.1. Size:636K  ncepower
nce6042ag.pdfpdf_icon

NCE6045G

NCE6042AGhttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE6042AG uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =42A Schematic diagramDS DR

Другие MOSFET... NCE6003M , NCE6003Y , NCE6005AR , NCE6008AS , NCE6009AS , NCE6012AS , NCE6020AI , NCE6020AK , IRLB4132 , NCE6050A , NCE6050IA , NCE6050KA , NCE6075 , NCE6075K , NCE6080A , NCE6080D , NCE6080K .

History: BSH111BK | SSF3341 | IRFSZ42

 

 
Back to Top

 


 
.