NCE6990 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE6990  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 69 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE6990

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6990 даташит

 ..1. Size:399K  ncepower
 nce6990.pdf pdf_icon

NCE6990

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6990 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

 0.1. Size:435K  ncepower
 nce6990d.pdf pdf_icon

NCE6990

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6990D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

Другие IGBT... NCE65TF180F, NCE65TF180T, NCE65TF360D, NCE65TF360, NCE65TF360F, NCE6802, NCE6890, NCE6890K, 2N7002, NCE6990D, NCE70T180D, NCE70T180, NCE70T180F, NCE70T1K2K, NCE70T1K2I, NCE70T1K2R, NCE70T260D