NCE70T360I - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

NCE70T360I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE70T360I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для NCE70T360I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCE70T360I даташит

..1. Size:487K ncepower
nce70t360k nce70t360i.pdf pdf_icon

NCE70T360K,NCE70T360I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 330 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 11.5 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and indust

..2. Size:1409K ncepower
nce70t360i.pdf pdf_icon

NCE70T360K,NCE70T360I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 330 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 11.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial pow

..3. Size:1409K ncepower
nce70t360i nce70t360k.pdf pdf_icon

NCE70T360K,NCE70T360I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 330 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 11.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial pow

5.1. Size:1745K ncepower
nce70t360.pdf pdf_icon

NCE70T360D,NCE70T360,NCE70T360F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 330 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 11.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and indu