Справочник MOSFET. FDD13AN06A0

 

FDD13AN06A0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD13AN06A0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FDD13AN06A0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD13AN06A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  fairchild semi
 fdd13an06a0.pdf pdf_icon

FDD13AN06A0

July 2003FDD13AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

 ..2. Size:210K  fairchild semi
 fdd13an06a0 f085.pdf pdf_icon

FDD13AN06A0

September 2010FDD13AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 0.1. Size:525K  onsemi
 fdd13an06a0-f085.pdf pdf_icon

FDD13AN06A0

FDD13AN06A0-F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mApplicationsFeatures Motor / Body Load Control rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A ABS Systems Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Injection Systems Low QRR Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Puls

 5.1. Size:204K  fairchild semi
 fdd13an06 f085.pdf pdf_icon

FDD13AN06A0

September 2010FDD13AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STU10N20 , FDC86244 , FDD050N03B , STU10N10 , FDD10AN06A0 , FDD10N20LZ , STU10L01 , FDD120AN15A0 , 4435 , FDD13AN06A0F085 , FDD14AN06LA0F085 , FDD16AN08A0 , FDD16AN08A0F085 , FDD18N20LZ , STU102S , FDD20AN06A0F085 , FDD24AN06LA0F085 .

History: JMTC320N10A | BUK203-50X | HUF75329S3

 

 
Back to Top

 


 
.