FDD16AN08A0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDD16AN08A0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
Аналог (замена) для FDD16AN08A0
FDD16AN08A0 Datasheet (PDF)
fdd16an08a0.pdf

May 2002FDD16AN08A0N-Channel UltraFET Trench MOSFET75V, 50A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing
fdd16an08a0 f085 fdd16an08 f085.pdf

October 2008FDD16AN08A0_F085N-Channel UltraFET Trench MOSFET75V, 50A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capabil
fdd16an08a0 nf054.pdf

May 2002FDD16AN08A0N-Channel UltraFET Trench MOSFET75V, 50A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing
fdd1600n10alz.pdf

January 2014FDD1600N10ALZN-Channel PowerTrench MOSFET100 V, 6.8 A, 160 mFeatures Description RDS(on) = 124 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.4 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchld Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been tai- RDS(on) = 175 m (Typ.) @ VGS = 5 V, ID = 2.1 Alored to minimize the on-state resistance and maintain s
Другие MOSFET... STU10N10 , FDD10AN06A0 , FDD10N20LZ , STU10L01 , FDD120AN15A0 , FDD13AN06A0 , FDD13AN06A0F085 , FDD14AN06LA0F085 , IRLZ44N , FDD16AN08A0F085 , FDD18N20LZ , STU102S , FDD20AN06A0F085 , FDD24AN06LA0F085 , FDD2572 , FDD2572F085 , FDD2582 .
History: IRL530N | MMBFJ177L | MDP4N60TP | FDMA1027P | STS3405 | BUK100-50DL | BUK101-50GL
History: IRL530N | MMBFJ177L | MDP4N60TP | FDMA1027P | STS3405 | BUK100-50DL | BUK101-50GL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet