Справочник MOSFET. NCE9926

 

NCE9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для NCE9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  ncepower
nce9926.pdfpdf_icon

NCE9926

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE9926NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE8295AK , NCE82H110 , NCE82H110D , NCE82H140D , NCE85H21 , NCE85H21C , NCE8804 , NCE9435 , IRF9640 , NCEP0112AS , NCEP0114AS , NCEP0116K , NCEP0120Q , NCEP0135A , NCEP0135AK , NCEP0140AG , NCEP0160A .

History: RJK03E0DNS | AOI600A60 | NCE60N1K0R | SSM5N16FE | IPB60R160C6 | 5N65G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.