NCE9926 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NCE9926
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для NCE9926
NCE9926 Datasheet (PDF)
nce9926.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE9926NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON)
Другие MOSFET... NCE8295AK , NCE82H110 , NCE82H110D , NCE82H140D , NCE85H21 , NCE85H21C , NCE8804 , NCE9435 , IRFZ48N , NCEP0112AS , NCEP0114AS , NCEP0116K , NCEP0120Q , NCEP0135A , NCEP0135AK , NCEP0140AG , NCEP0160A .
History: 19N10L-TQ2-R | 19N10G-TMS-T
History: 19N10L-TQ2-R | 19N10G-TMS-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor