60NM60G-T3P - аналоги и даташиты транзистора

 

60NM60G-T3P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 60NM60G-T3P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 60NM60G-T3P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

60NM60G-T3P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:447K  1
 60nm60l 60nm60g.pdf pdf_icon

60NM60G-T3P

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60NM60 Power MOSFET 60A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 60NM60 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used atDC-DC, AC-DC con

 8.1. Size:291K  st
 sty60nm60.pdf pdf_icon

60NM60G-T3P

STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V

 8.2. Size:330K  inchange semiconductor
 isc60nm60l.pdf pdf_icon

60NM60G-T3P

isc N-Channel MOSFET Transistor ISC60NM60LFEATURESDrain Current : I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

Другие MOSFET... 2SK736 , 2SK810 , 2SK811 , 2SK895 , 2SK896 , FMW60N070S2HF , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , TK10A60D , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , ISCD3NK80Z , ISCNH060D , FDN363N , ISCNH363N , ISCNH370W , ISCNH371D .

 

 
Back to Top

 


 
.