Справочник MOSFET. 60NM60G-T3P

 

60NM60G-T3P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 60NM60G-T3P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

60NM60G-T3P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:447K  1
 60nm60l 60nm60g.pdf pdf_icon

60NM60G-T3P

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60NM60 Power MOSFET 60A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 60NM60 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used atDC-DC, AC-DC con

 8.1. Size:291K  st
 sty60nm60.pdf pdf_icon

60NM60G-T3P

STY60NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247Zener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY60NM60 600V

 8.2. Size:330K  inchange semiconductor
 isc60nm60l.pdf pdf_icon

60NM60G-T3P

isc N-Channel MOSFET Transistor ISC60NM60LFEATURESDrain Current : I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KX6N70 | CHM1503YJGP

 

 
Back to Top

 


 
.