ISCNH375W - описание и поиск аналогов

 

ISCNH375W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCNH375W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для ISCNH375W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCNH375W даташит

 ..1. Size:580K  inchange semiconductor
iscnh375w.pdfpdf_icon

ISCNH375W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH375W FEATURES Drain Current I = 15A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 350m (Max)@V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 7.1. Size:286K  inchange semiconductor
iscnh371d.pdfpdf_icon

ISCNH375W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH371D FEATURES Drain Current I = 2.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

 7.2. Size:356K  inchange semiconductor
iscnh377b.pdfpdf_icon

ISCNH375W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH377B FEATURES Drain Current I = 200A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.3m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

 7.3. Size:288K  inchange semiconductor
iscnh379p.pdfpdf_icon

ISCNH375W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH379P FEATURES Drain Current I = 2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 1000V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 10 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

Другие MOSFET... ISCNH060D , FDN363N , ISCNH363N , ISCNH370W , ISCNH371D , ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D , 18N50 , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , ISF40NF20 , ISH3N150 , IXFY26N30X3 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 .

History: SPD50N06S2-14 | WML36N60F2 | WML071N15HG2 | 2SK3065T100 | NTTFS4C13N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.