Справочник MOSFET. STF6N90K5

 

STF6N90K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF6N90K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STF6N90K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  1
stf6n90k5.pdfpdf_icon

STF6N90K5

STF6N90K5 N-channel 900 V, 0.91 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTF6N90K5 900 V 1.10 6 A Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected TO-220FPApplications

 ..2. Size:279K  inchange semiconductor
stf6n90k5.pdfpdf_icon

STF6N90K5

isc N-Channel MOSFET Transistor STF6N90K5FEATURESDrain Current : I = 6.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.1(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

 8.1. Size:931K  st
stf6n95k5.pdfpdf_icon

STF6N90K5

STF6N95K5N-channel 950 V, 1 typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTF6N95K5 950 V 1.25 9 A 25 W Industrys lowest RDS(on) * area Industrys best figure of merit (FoM)321 Ultra-low gate charge 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protectedApplications

 8.2. Size:236K  inchange semiconductor
stf6n95k5.pdfpdf_icon

STF6N90K5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STF6N95K5FEATURESdrain-source on-resistance:RDS(on) 1.25 (max)Fast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCEA6058K | IRFR1010ZPBF | 2SK3572-Z | HM4453B | GP2M005A050XX | DMN3018SFG | NCEAP15T14

 

 
Back to Top

 


 
.