SW3N90U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SW3N90U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 49 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5.8 Ohm
Тип корпуса: TO251
SW3N90U Datasheet (PDF)
sw3n90u swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf
SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS : 900V ID : 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou
sw3n90u.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SW3N90UFEATURESDrain Current : I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.8(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
ssw3n90a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V2 Low RDS(ON) : 4.679 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
