Справочник MOSFET. SWI3N90U

 

SWI3N90U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWI3N90U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 24 ns
   Выходная емкость (Cd): 49 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SWI3N90U

 

 

SWI3N90U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:887K  1
sw3n90u swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf

SWI3N90U
SWI3N90U

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS : 900V ID : 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 ..2. Size:809K  samwin
swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf

SWI3N90U
SWI3N90U

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS : 900V ID : 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top