Справочник MOSFET. SWI3N90U

 

SWI3N90U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI3N90U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI3N90U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI3N90U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:887K  1
 sw3n90u swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf pdf_icon

SWI3N90U

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS : 900V ID : 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 ..2. Size:809K  samwin
 swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf pdf_icon

SWI3N90U

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS : 900V ID : 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

Другие MOSFET... ISH3N150 , IXFY26N30X3 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , NCEP15T14 , SWMI3N90U , SWD3N90U , SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z .

History: AUIRF1324S-7P | SM4927BSKC | RFD16N03LSM | SWN7N65D | SUN830DN | IPP60R280CFD7 | J174

 

 
Back to Top

 


 
.