SWI3N90U - описание и поиск аналогов

 

SWI3N90U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI3N90U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.8 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI3N90U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI3N90U даташит

 ..1. Size:887K  1
 sw3n90u swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf pdf_icon

SWI3N90U

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS 900V ID 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8 )@VGS=10V RDS(ON) 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 ..2. Size:809K  samwin
 swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf pdf_icon

SWI3N90U

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS 900V ID 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8 )@VGS=10V RDS(ON) 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

Другие MOSFET... ISH3N150 , IXFY26N30X3 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , IRF1405 , SWMI3N90U , SWD3N90U , SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z .

History: AGM406MNQ | SW4N60A | 2N6800U | 2SK2160 | SL2309

 

 

 

 

↑ Back to Top
.