Справочник MOSFET. SCT10N120

 

SCT10N120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT10N120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.69 Ohm
   Тип корпуса: HIP247
 

 Аналог (замена) для SCT10N120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT10N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  st
 sct10n120.pdf pdf_icon

SCT10N120

SCT10N120DatasheetSilicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 m (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 packageFeatures Very tight variation of on-resistance vs. temperature Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 C) Very fast and robust intrinsic body diode Low capacitance321ApplicationsHiP247 Solar inverters, UPSD(2, TA

Другие MOSFET... IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U , SWD3N90U , STP65NF06 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 .

History: HSM1641

 

 
Back to Top

 


 
.