SCT10N120 - описание и поиск аналогов

 

SCT10N120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SCT10N120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.69 Ohm

Тип корпуса: HIP247

Аналог (замена) для SCT10N120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT10N120 даташит

 ..1. Size:232K  st
 sct10n120.pdf pdf_icon

SCT10N120

SCT10N120 Datasheet Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 m (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package Features Very tight variation of on-resistance vs. temperature Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 C) Very fast and robust intrinsic body diode Low capacitance 3 2 1 Applications HiP247 Solar inverters, UPS D(2, TA

Другие MOSFET... IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U , SWD3N90U , IRFZ46N , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 .

History: BLV840 | ME2333-G | 2SK1374

 

 

 

 

↑ Back to Top
.