Справочник MOSFET. SCT10N120

 

SCT10N120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SCT10N120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5(typ) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.69 Ohm
   Тип корпуса: HIP247

 Аналог (замена) для SCT10N120

 

 

SCT10N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  st
 sct10n120.pdf

SCT10N120 SCT10N120

SCT10N120DatasheetSilicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 m (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 packageFeatures Very tight variation of on-resistance vs. temperature Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 C) Very fast and robust intrinsic body diode Low capacitance321ApplicationsHiP247 Solar inverters, UPSD(2, TA

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top