Справочник MOSFET. STB33N60DM2

 

STB33N60DM2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB33N60DM2
   Маркировка: 33N60DM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 87 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для STB33N60DM2

 

 

STB33N60DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  st
stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf

STB33N60DM2 STB33N60DM2

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) DSTB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

 6.1. Size:1047K  st
stb33n60m2.pdf

STB33N60DM2 STB33N60DM2

STB33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in a D2PAK packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) TABOrder code IDTJmax maxSTB33N60M2 650 V 0.125 26 A3 Extremely low gate charge1 Lower RDS(on) x area vs previous generationD 2PAK MDmesh II technology Low gate input resistance 100% avalan

 7.1. Size:794K  st
stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf

STB33N60DM2 STB33N60DM2

STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVS20N60SD2TR

 

 
Back to Top