Справочник MOSFET. STB33N60DM2

 

STB33N60DM2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB33N60DM2
   Маркировка: 33N60DM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для STB33N60DM2

 

 

STB33N60DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  st
 stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf

STB33N60DM2 STB33N60DM2

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) DSTB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

 6.1. Size:1047K  st
 stb33n60m2.pdf

STB33N60DM2 STB33N60DM2

STB33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in a D2PAK packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) TABOrder code IDTJmax maxSTB33N60M2 650 V 0.125 26 A3 Extremely low gate charge1 Lower RDS(on) x area vs previous generationD 2PAK MDmesh II technology Low gate input resistance 100% avalan

 7.1. Size:794K  st
 stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf

STB33N60DM2 STB33N60DM2

STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top