STD20NF06L-1 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STD20NF06L-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STD20NF06L-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STD20NF06L-1

STD20NF06L-1 Datasheet (PDF)

..1. Size:414K st
std20nf06lt4 std20nf06l std20nf06l-1.pdf

STD20NF06LSTD20NF06L-1N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06L 60V

..2. Size:410K st
std20nf06l std20nf06l-1.pdf

STD20NF06LSTD20NF06L-1N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06L 60V

4.1. Size:1181K umw-ic
std20nf06l.pdf

R STD20NF06LUMW60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETUMW STD20NF06LGeneral DescriptionThe STD20NF06L uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.FeaturesVDS = 60V,ID =30ARDS(ON),25m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON),30m(Typ) @ VGS =4.5VAdvanced Trench TechnologyExcellent RD

4.2. Size:286K inchange semiconductor
std20nf06l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor STD20NF06LFEATURESDrain Current : I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

5.1. Size:342K st
std20nf06t4.pdf