STD8N60DM2 - описание и поиск аналогов

 

STD8N60DM2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD8N60DM2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для STD8N60DM2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD8N60DM2 даташит

 ..1. Size:377K  st
std8n60dm2.pdfpdf_icon

STD8N60DM2

STD8N60DM2 Datasheet N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD8N60DM2 600 V 600 m 8 A 85 W 3 2 1 Fast-recovery body diode DPAK Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D(2, TAB) 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze

 9.1. Size:341K  1
std8n06-1 std8n06t4.pdfpdf_icon

STD8N60DM2

STD8N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD8N06 60 V

Другие MOSFET... STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , STD64N4F6AG , STD7LN80K5 , AO3400 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 , STF140N6F7 , STF15N60M2-EP , STF16N60M6 , STF20N90K5 , STF20NM50FD .

History: STD17NF03LT4 | SM1A42CSK | FX6KMJ-2 | WMM05N70MM | UTM6016G | 2SK4081 | 2N7002ZDWG-AL6-R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.