STF11N60M2-EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF11N60M2-EP
Маркировка: 11N60M2EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.75 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.595 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для STF11N60M2-EP
STF11N60M2-EP Datasheet (PDF)
stf11n60m2-ep.pdf
STF11N60M2-EPDatasheetN-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTF11N60M2-EP 600 V 0.595 7.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile321 Very low turn-off switching losses 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protectedD(2)Applica
stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdf
STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 packages FeaturesTABTAB32 VDS @311RDS(on)max. IDOrder codeDPAK2D PAKTjmax.TABSTB11N65M5STD11N65M5710 V 0.48 9 A3231 STF11N65M521TO-220TO-220FPSTP11N65M5D(2, TAB) Extremel
stb11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5 stu11n65m5.pdf
STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTAB2VDSS @ RDS(on) 2 3Order codes ID 31TJmax max 132DPAKD2PAK 1STB11N65M5TO-220FPSTD11N65M5TABSTF11N65M5 710 V
stf11n65k3.pdf
STF11N65K3N-channel 650 V, 0.765 , 11 A, TO-220FPSuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTF10N65K3 650 V
stf11n65m2-045y.pdf
STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications
stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf
STF11N65M2, STFI11N65M2N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2650 V 0.67 7 ASTFI11N65M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous generation12231 Low gate input resistance2TO-220FPI P
stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf
STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF11N65M2 650 V 0.68 7 A 25 W STFI11N65M2 Extremely low gate charge TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche teste
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918