STFI11NM65N - описание и поиск аналогов

 

STFI11NM65N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STFI11NM65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.455 Ohm

Тип корпуса: I2PAKFP

Аналог (замена) для STFI11NM65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI11NM65N даташит

 ..1. Size:1258K  st
std11nm65n stf11nm65n stfi11nm65n stp11nm65n.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STD11NM65N, STF11NM65N, STFI11NM65N, STP11NM65N N-channel 650 V, 0.425 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I PAKFP and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) 3 Order codes ID 1 TJmax max 3 DPAK 2 1 STD11NM65N STF11NM65N TO-220FP 710 V

 7.1. Size:866K  st
stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - preliminary data Features Order codes VDS RDS(on) max ID STF11N65M2 650 V 0.67 7 A STFI11N65M2 Extremely low gate charge 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 2 2 3 1 Low gate input resistance 2 TO-220FP I P

 7.2. Size:735K  st
stf11n65m2 stfi11n65m2.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STF11N65M2 650 V 0.68 7 A 25 W STFI11N65M2 Extremely low gate charge TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche teste

 9.1. Size:367K  st
stfi12n60m2.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STFI12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in an I PAKFP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STFI12N60M2 600 V 0.450 9 A 25 W Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching application

Другие MOSFET... STF3LN80K5 , STF5N80K5 , STF5NK52ZD , STF7LN80K5 , STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , IRFP260 , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.