Справочник MOSFET. STFI11NM65N

 

STFI11NM65N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STFI11NM65N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.455 Ohm
   Тип корпуса: I2PAKFP
 

 Аналог (замена) для STFI11NM65N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI11NM65N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1258K  st
std11nm65n stf11nm65n stfi11nm65n stp11nm65n.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STD11NM65N, STF11NM65N, STFI11NM65N, STP11NM65NN-channel 650 V, 0.425 typ., 11 A MDmeshII Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IPAKFP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) 3Order codes ID1 TJmax max3DPAK 21STD11NM65NSTF11NM65NTO-220FP710 V

 7.1. Size:866K  st
stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STF11N65M2, STFI11N65M2N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2650 V 0.67 7 ASTFI11N65M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous generation12231 Low gate input resistance2TO-220FPI P

 7.2. Size:735K  st
stf11n65m2 stfi11n65m2.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF11N65M2 650 V 0.68 7 A 25 W STFI11N65M2 Extremely low gate charge TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche teste

 9.1. Size:367K  st
stfi12n60m2.pdfpdf_icon

STFI11NM65N

STFI12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAKFP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTFI12N60M2 600 V 0.450 9 A 25 W Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching application

Другие MOSFET... STF3LN80K5 , STF5N80K5 , STF5NK52ZD , STF7LN80K5 , STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , 8205A , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 .

History: VS4604DM | 2N4343

 

 
Back to Top

 


 
.