Справочник MOSFET. STH410N4F7-6AG

 

STH410N4F7-6AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH410N4F7-6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 365 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 198 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-6

 Аналог (замена) для STH410N4F7-6AG

 

 

STH410N4F7-6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  st
 sth410n4f7-2ag sth410n4f7-6ag.pdf

STH410N4F7-6AG STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 m typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT max. STH410N4F7-2AG 40 V 1.1 m 200 A 365 W STH410N4F7-6AG Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top