Справочник MOSFET. STL33N60DM2

 

STL33N60DM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL33N60DM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
 

 Аналог (замена) для STL33N60DM2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL33N60DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  st
 stl33n60dm2.pdf pdf_icon

STL33N60DM2

STL33N60DM2 N-channel 600 V, 0.115 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features VDS @ Order code RDS(on)max ID T Jmax5STL33N60DM2 650 V 0.140 21 A 432 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance PowerFLAT 8x8 HV 100% ava

 6.1. Size:850K  st
 stl33n60m2.pdf pdf_icon

STL33N60DM2

STL33N60M2 N-channel 600 V, 0.115 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ T R I Jmax DS(on)max DSTL33N60M2 650 V 0.135 22 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching app

Другие MOSFET... STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , STL140N6F7 , P0903BDG , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 , STP13N60DM2 , STP15810 .

History: PSMN4R3-30BL

 

 
Back to Top

 


 
.