STL7N60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL7N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X5
Аналог (замена) для STL7N60M2
STL7N60M2 Datasheet (PDF)
stl7n60m2.pdf

STL7N60M2 N-channel 600 V, 0.92 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 package Datasheet - production data Features Order code V @ Tjmax R max I DS DS(on) DSTL7N60M2 650 V 1.05 5 A 675 Extremely low gate charge 4 Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested 112 Zener-protected PowerFLAT 5x5 Applic
stl7n6lf3.pdf

STL7N6LF3Automotive-grade N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL7N6LF3 60 V 43 m 6.5 A Designed for automotive applications and 1AEC-Q101 qualified234 Logic level VGS(th) 175 C junction temperature 100% avalanche ratedPower
stl7n10f7.pdf

STL7N10F7N-channel 100 V, 0.027 typ., 7 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL7N10F7 100 V 0.035 7 A N-channel enhancement mode123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 100% avalanche ratedPowerFLAT 3.3x3.3Applications Switching app
stl7n80k5.pdf

STL7N80K5N-channel 800 V, 0.95 typ., 3.6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL7N80K5 800 V 1.2 3.6 A Outstanding RDS(on)*area1 Worldwide best FOM (figure of merit)23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zener
Другие MOSFET... STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , STL140N6F7 , STL33N60DM2 , 5N65 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 , STP13N60DM2 , STP15810 , STP18N60DM2 .
History: SIR680DP | NTD4860NT4G | AP15T15GM | NCE020N30K | FCP400N80Z | STB9NK70Z | NCE2003
History: SIR680DP | NTD4860NT4G | AP15T15GM | NCE020N30K | FCP400N80Z | STB9NK70Z | NCE2003



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent