STP45N60DM6 - описание и поиск аналогов

 

STP45N60DM6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP45N60DM6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP45N60DM6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP45N60DM6 даташит

 ..1. Size:817K  st
stp45n60dm6 stw45n60dm6.pdfpdf_icon

STP45N60DM6

STP45N60DM6, STW45N60DM6 N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP45N60DM6 600 V 0.099 30 A STW45N60DM6 3 3 Fast-recovery body diode 2 2 1 Lower R x area vs previous generation DS(on) 1 Low gate charge, input capacitan

 7.1. Size:1678K  st
stb45n65m5 stf45n65m5 stp45n65m5.pdfpdf_icon

STP45N60DM6

STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5 N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB 2 Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID 3 1 STB45N65M5 3 2 D2PAK 1 STF45N65M5 710 V 0.078 35 A TO-220FP STP45N65M5 TAB Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt capa

 7.2. Size:1336K  st
stb45n65m5 stf45n65m5 stp45n65m5 stw45n65m5.pdfpdf_icon

STP45N60DM6

STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5 STW45N65M5 N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features TAB 2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID 1 TJmax max 3 2 D2PAK 1 STB45N65M5 TO-220FP TAB STF45N65M5 710 V

 7.3. Size:288K  inchange semiconductor
stp45n65m5.pdfpdf_icon

STP45N60DM6

isc N-Channel MOSFET Transistor STP45N65M5 FEATURES Drain Current I = 35A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 78m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие MOSFET... STP23N80K5 , STP26N60M2 , STP26N65DM2 , STP28N60DM2 , STP33N60DM2 , STP33N60DM6 , STP36N60M6 , STP43N60DM2 , STP65NF06 , STP4LN80K5 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP , STS8DN6LF6AG , STU5N95K5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.